ECH8663R-TL-H
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.668845 | ￥24.67 |
| 10 | ￥20.490827 | ￥204.91 |
| 100 | ￥16.314235 | ￥1631.42 |
| 500 | ￥13.804001 | ￥6902.00 |
| 1000 | ￥11.712568 | ￥11712.57 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 20.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 12.3 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
ECH8663R-TL-H 同类别型号
注
ECH8663R-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ECH8663R-TL-H
数据手册PDF。
ECH8663R-TL-H
型号：ECH8663R-TL-H
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.668845 |
| 10+： | ￥20.490827 |
| 100+： | ￥16.314235 |
| 500+： | ￥13.804001 |
| 1000+： | ￥11.712568 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.67