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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 16.6 A
漏源电阻 5 mOhms, 5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 35.2 nC
耗散功率 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3812 ns, 3812 ns
上升时间 1447 ns, 1447 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 2736 ns, 2736 ns
典型接通延迟时间 615 ns, 615 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 DMN1006UCA6-7-01
单位重量 2.600 mg
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0DMN1006UCA6-7
型号:DMN1006UCA6-7
品牌:DIODES
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