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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.05 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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0NVMD3P03R2G
型号:NVMD3P03R2G
品牌:ON
供货:锐单
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