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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V, 20 V
漏极电流 9.5 A, 8.7 A
漏源电阻 9 mOhms, 14 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV, 1 V
栅极电荷 32 nC, 56 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22.5 ns, 82 ns
上升时间 9.6 ns, 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 42.5 ns, 150 ns
典型接通延迟时间 6.6 ns, 8.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 116 mg
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0DMC1016UPD-13
型号:DMC1016UPD-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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