SI5515CDC-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI5515CDC-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.437217 | ￥7311.65 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 36 mOhms, 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 800 mV
栅极电荷 11.3 nC, 11 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5515CDC-GE3
单位重量 85 mg
SI5515CDC-T1-GE3 同类别型号
注
SI5515CDC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI5515CDC-T1-GE3、查询SI5515CDC-T1-GE3代理商；
SI5515CDC-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI5515CDC-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI5515CDC-T1-GE3
替代型号
、SI5515CDC-T1-GE3
数据手册PDF。
SI5515CDC-T1-GE3
型号：SI5515CDC-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.437217 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00