货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.574336 | ¥10.57 |
10 | ¥9.261661 | ¥92.62 |
100 | ¥7.103038 | ¥710.30 |
500 | ¥5.615338 | ¥2807.67 |
1000 | ¥4.49227 | ¥4492.27 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 36 mOhms, 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 800 mV
栅极电荷 11.3 nC, 11 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5515CDC-GE3
单位重量 85 mg
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0SI5515CDC-T1-GE3
型号:SI5515CDC-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.574336 |
10+: | ¥9.261661 |
100+: | ¥7.103038 |
500+: | ¥5.615338 |
1000+: | ¥4.49227 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.57