SI5515CDC-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI5515CDC-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：9762
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.510787 | ￥18.51 |
| 10 | ￥11.641909 | ￥116.42 |
| 100 | ￥7.665914 | ￥766.59 |
| 500 | ￥5.955884 | ￥2977.94 |
| 1000 | ￥5.405151 | ￥5405.15 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 36 mOhms, 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 800 mV
栅极电荷 11.3 nC, 11 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5515CDC-GE3
单位重量 85 mg
SI5515CDC-T1-GE3 同类别型号
注
SI5515CDC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI5515CDC-T1-GE3
数据手册PDF。
SI5515CDC-T1-GE3
型号：SI5515CDC-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：9762 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.510787 |
| 10+： | ￥11.641909 |
| 100+： | ￥7.665914 |
| 500+： | ￥5.955884 |
| 1000+： | ￥5.405151 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.51