HP8KA1TB

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

产品 MOSFET

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 14 A

漏源电阻 7 mOhms, 7 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 24 nC

耗散功率 3 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 40 ns, 40 ns

正向跨导（Min） 14 S, 14 S

上升时间 30 ns, 30 ns

晶体管类型 2 N-channel

典型关闭延迟时间 85 ns, 85 ns

典型接通延迟时间 25 ns, 25 ns

高度 1.1 mm

长度 5.8 mm

宽度 5 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Power MOSFET

零件号别名 HP8KA1

单位重量 771.020 mg