DMN1003UCA6-7
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- 制造商编号：
- DMN1003UCA6-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.079105 | ￥6237.32 |
| 6000 | ￥1.975155 | ￥11850.93 |
| 15000 | ￥1.90089 | ￥28513.35 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 23.6 A
漏源电阻 2.3 mOhms, 2.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 56.5 nC
耗散功率 2.67 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6208 ns, 6208 ns
上升时间 1694 ns, 1694 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 47479 ns, 4747 ns
典型接通延迟时间 603 ns, 603 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
DMN1003UCA6-7 同类别型号
注
DMN1003UCA6-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN1003UCA6-7
数据手册PDF
。
DMN1003UCA6-7
型号：DMN1003UCA6-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.079105 |
| 6000+： | ￥1.975155 |
| 15000+： | ￥1.90089 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00