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DMN1003UCA6-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN1003UCA6-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
渠道:
digikey

库存 :2870

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

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规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 23.6 A

漏源电阻 2.3 mOhms, 2.3 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 56.5 nC

耗散功率 2.67 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 6208 ns, 6208 ns

上升时间 1694 ns, 1694 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 47479 ns, 4747 ns

典型接通延迟时间 603 ns, 603 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 2.600 mg

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DMN1003UCA6-7

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型号:DMN1003UCA6-7

品牌:DIODES

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