
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.838632 | ¥11.84 |
| 10 | ¥9.727647 | ¥97.28 |
| 100 | ¥7.562461 | ¥756.25 |
| 500 | ¥6.410548 | ¥3205.27 |
| 1000 | ¥5.22212 | ¥5222.12 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 25 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 68 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4228DY-GE3
单位重量 750 mg
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0SI4228DY-T1-GE3
型号:SI4228DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.838632 |
| 10+: | ¥9.727647 |
| 100+: | ¥7.562461 |
| 500+: | ¥6.410548 |
| 1000+: | ¥5.22212 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.84