EFC2K103NUZTDG
库存 ：2082
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.758705 | ￥11.76 |
| 10 | ￥10.455329 | ￥104.55 |
| 25 | ￥9.91698 | ￥247.92 |
| 100 | ￥7.437734 | ￥743.77 |
| 250 | ￥7.366899 | ￥1841.72 |
| 500 | ￥6.304365 | ￥3152.18 |
| 1000 | ￥5.135578 | ￥5135.58 |
| 2500 | ￥5.064743 | ￥12661.86 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 148 us
上升时间 100 us
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 165 us
典型接通延迟时间 25 us
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
EFC2K103NUZTDG 相关产品
EFC2K103NUZTDG 同类别型号
注
EFC2K103NUZTDG
型号：EFC2K103NUZTDG
品牌：ON
供货：锐单
库存：2082 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.758705 |
| 10+： | ￥10.455329 |
| 25+： | ￥9.91698 |
| 100+： | ￥7.437734 |
| 250+： | ￥7.366899 |
| 500+： | ￥6.304365 |
| 1000+： | ￥5.135578 |
| 2500+： | ￥5.064743 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.76