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制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 148 us
上升时间 100 us
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 165 us
典型接通延迟时间 25 us
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
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0EFC2K103NUZTDG
型号:EFC2K103NUZTDG
品牌:ON
供货:锐单
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