SH8K41GZETB
库存 ：294
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.94361 | ￥4.94 |
| 10 | ￥3.948604 | ￥39.49 |
| 30 | ￥3.445864 | ￥103.38 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 3.4 A
漏源电阻 90 mOhms, 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 12 ns
正向跨导（Min） 3 S
上升时间 15 ns, 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns, 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8K41
单位重量 83 mg
SH8K41GZETB 同类别型号
注
SH8K41GZETB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8K41GZETB
数据手册PDF。
SH8K41GZETB
型号：SH8K41GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：294 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.94361 |
| 10+： | ￥3.948604 |
| 30+： | ￥3.445864 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.94