QH8JA1TCR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 5 A

漏源电阻 28 mOhms, 28 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 10.2 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 65 ns, 65 ns

正向跨导（Min） 5.5 S, 5.5 S

上升时间 32 ns, 32 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 70 ns, 70 ns

典型接通延迟时间 11 ns, 11 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 QH8JA1

单位重量 10 mg