货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.825516 | ¥10.83 |
10 | ¥9.682823 | ¥96.83 |
100 | ¥7.552602 | ¥755.26 |
500 | ¥6.239106 | ¥3119.55 |
1000 | ¥4.925611 | ¥4925.61 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A, 8 A
漏源电阻 12.3 mOhms, 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.5 V
栅极电荷 15.5 nC, 19.6 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 22 ns
正向跨导(Min) 4.4 S, 5.5 S
上升时间 19 ns, 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8MA4
单位重量 10 mg
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0QH8MA4TCR
型号:QH8MA4TCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.825516 |
10+: | ¥9.682823 |
100+: | ¥7.552602 |
500+: | ¥6.239106 |
1000+: | ¥4.925611 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.83