货期: 8周-10周
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.656984 | ¥11642.46 |
5000 | ¥4.379591 | ¥21897.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9.5 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 26 nC
耗散功率 1.28 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12.33 ns, 12.33 ns
上升时间 12.49 ns, 12.49 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.89 ns, 35.89 ns
典型接通延迟时间 11.67 ns, 11.67 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMG6898LSDQ-13
型号:DMG6898LSDQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.656984 |
5000+: | ¥4.379591 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00