SH8K51GZETB
库存 ：2336
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.50262 | ￥10.50 |
| 10 | ￥9.402934 | ￥94.03 |
| 25 | ￥8.925991 | ￥223.15 |
| 100 | ￥6.694494 | ￥669.45 |
| 250 | ￥6.630737 | ￥1657.68 |
| 500 | ￥5.67438 | ￥2837.19 |
| 1000 | ￥4.622388 | ￥4622.39 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 35 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8K51
单位重量 83 mg
SH8K51GZETB 同类别型号
注
SH8K51GZETB
型号：SH8K51GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2336 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.50262 |
| 10+： | ￥9.402934 |
| 25+： | ￥8.925991 |
| 100+： | ￥6.694494 |
| 250+： | ￥6.630737 |
| 500+： | ￥5.67438 |
| 1000+： | ￥4.622388 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.50