DMT3009LDT-7
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- 制造商编号：
- DMT3009LDT-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
- 渠道：
- 自营digikey
库存 ：350
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥2.535475 | ￥12.68 |
| 50 | ￥1.997576 | ￥99.88 |
| 150 | ￥1.767032 | ￥265.05 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 11.1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
DMT3009LDT-7 同类别型号
注
DMT3009LDT-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMT3009LDT-7
数据手册PDF
。
DMT3009LDT-7
型号：DMT3009LDT-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：350 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥2.535475 |
| 50+： | ￥1.997576 |
| 150+： | ￥1.767032 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00