DMT3009LDT-7
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- 制造商编号：
- DMT3009LDT-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
- 渠道：
- 自营digikey
库存 ：571
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.544928 | ￥1.54 |
| 10 | ￥1.486848 | ￥14.87 |
| 100 | ￥1.347456 | ￥134.75 |
| 500 | ￥1.27776 | ￥638.88 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 11.1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
DMT3009LDT-7 同类别型号
注
DMT3009LDT-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMT3009LDT-7
数据手册PDF
。
DMT3009LDT-7
型号：DMT3009LDT-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：571 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.544928 |
| 10+： | ￥1.486848 |
| 100+： | ￥1.347456 |
| 500+： | ￥1.27776 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.54