EFC4K105NUZTDG
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.949389 | ￥8.95 |
| 200 | ￥3.467475 | ￥693.50 |
| 500 | ￥3.351893 | ￥1675.95 |
| 1000 | ￥3.285845 | ￥3285.85 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 22 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 3.55 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 78 us
上升时间 35 us
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 185 us
典型接通延迟时间 13 us
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
EFC4K105NUZTDG 同类别型号
注
EFC4K105NUZTDG
型号：EFC4K105NUZTDG
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.949389 |
| 200+： | ￥3.467475 |
| 500+： | ￥3.351893 |
| 1000+： | ￥3.285845 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.95