货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.805321 | ¥7.81 |
200 | ¥3.024202 | ¥604.84 |
500 | ¥2.923394 | ¥1461.70 |
1000 | ¥2.865791 | ¥2865.79 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 22 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 3.55 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 78 us
上升时间 35 us
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 185 us
典型接通延迟时间 13 us
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0EFC4K105NUZTDG
型号:EFC4K105NUZTDG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.805321 |
200+: | ¥3.024202 |
500+: | ¥2.923394 |
1000+: | ¥2.865791 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.81