货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.738112 | ¥10.74 |
10 | ¥9.466818 | ¥94.67 |
100 | ¥7.253779 | ¥725.38 |
500 | ¥5.734399 | ¥2867.20 |
1000 | ¥4.58752 | ¥4587.52 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A, 2 A
漏源电阻 77 mOhms, 170 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 4.5 nC, 6 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 20 ns
正向跨导(Min) 10 S, 5 S
上升时间 12 ns, 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3590DV-GE3
单位重量 20 mg
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0SI3590DV-T1-GE3
型号:SI3590DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.738112 |
10+: | ¥9.466818 |
100+: | ¥7.253779 |
500+: | ¥5.734399 |
1000+: | ¥4.58752 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.74