SQJ956EP-T1_GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQJ956EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- 渠道：
- digikey
库存 ：71
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.708287 | ￥14.71 |
| 10 | ￥13.104952 | ￥131.05 |
| 100 | ￥10.221597 | ￥1022.16 |
| 500 | ￥8.443352 | ￥4221.68 |
| 1000 | ￥6.665903 | ￥6665.90 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 22.3 mOhms, 22.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns, 6 ns
正向跨导（Min） 19 S, 19 S
上升时间 11 ns, 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns, 24 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ956EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ956EP-T1_GE3
型号：SQJ956EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：71 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.708287 |
| 10+： | ￥13.104952 |
| 100+： | ￥10.221597 |
| 500+： | ￥8.443352 |
| 1000+： | ￥6.665903 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.71