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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV, 1.8 V
栅极电荷 37.56 nC, 33.66 nC
耗散功率 2.14 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMC4050SSDQ-13
型号:DMC4050SSDQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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