SIS990DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIS990DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：12601
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.820941 | ￥21.82 |
| 10 | ￥13.744162 | ￥137.44 |
| 100 | ￥9.123882 | ￥912.39 |
| 500 | ￥7.140904 | ￥3570.45 |
| 1000 | ￥6.502491 | ￥6502.49 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 12.1 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SIS990DN-T1-GE3 同类别型号
注
SIS990DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIS990DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SIS990DN-T1-GE3
型号：SIS990DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12601 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.820941 |
| 10+： | ￥13.744162 |
| 100+： | ￥9.123882 |
| 500+： | ￥7.140904 |
| 1000+： | ￥6.502491 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.82