QS8K21TR
库存 ：3820
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.455667 | ￥12.46 |
| 10 | ￥11.170348 | ￥111.70 |
| 100 | ￥8.704392 | ￥870.44 |
| 500 | ￥7.190365 | ￥3595.18 |
| 1000 | ￥5.676604 | ￥5676.60 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 53 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） -
上升时间 25 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 9 ns
规格参数
开发套件 -
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8K21
单位重量 10 mg
QS8K21TR 同类别型号
注
QS8K21TR
型号：QS8K21TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：3820 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.455667 |
| 10+： | ￥11.170348 |
| 100+： | ￥8.704392 |
| 500+： | ￥7.190365 |
| 1000+： | ￥5.676604 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.46