CSD87503Q3E
库存 ：790
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.88715 | ￥19.89 |
| 10 | ￥17.768221 | ￥177.68 |
| 25 | ￥16.866197 | ￥421.65 |
| 100 | ￥13.852346 | ￥1385.23 |
| 250 | ￥12.949376 | ￥3237.34 |
| 500 | ￥11.443636 | ￥5721.82 |
| 1000 | ￥9.034448 | ￥9034.45 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 17.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 42.8 nC
耗散功率 15.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 24 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 29.200 mg
CSD87503Q3E 同类别型号
注
CSD87503Q3E品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87503Q3E
数据手册PDF
。
CSD87503Q3E
型号：CSD87503Q3E
品牌：TI
供货：锐单
库存：790 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.88715 |
| 10+： | ￥17.768221 |
| 25+： | ￥16.866197 |
| 100+： | ￥13.852346 |
| 250+： | ￥12.949376 |
| 500+： | ￥11.443636 |
| 1000+： | ￥9.034448 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.89