CSD87503Q3E
库存 ：790
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.802118 | ￥22.80 |
| 10 | ￥20.372607 | ￥203.73 |
| 25 | ￥19.338367 | ￥483.46 |
| 100 | ￥15.882761 | ￥1588.28 |
| 250 | ￥14.847437 | ￥3711.86 |
| 500 | ￥13.120991 | ￥6560.50 |
| 1000 | ￥10.358677 | ￥10358.68 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 17.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 42.8 nC
耗散功率 15.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 24 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 29.200 mg
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注
CSD87503Q3E品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87503Q3E
数据手册PDF
。
CSD87503Q3E
型号：CSD87503Q3E
品牌：TI
供货：锐单
库存：790 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.802118 |
| 10+： | ￥20.372607 |
| 25+： | ￥19.338367 |
| 100+： | ￥15.882761 |
| 250+： | ￥14.847437 |
| 500+： | ￥13.120991 |
| 1000+： | ￥10.358677 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.80