CTLDM304P-M832DS TR
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- 制造商编号：
- CTLDM304P-M832DS TR
- 制造商：
- CENTRAL(美国中央)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.120422 | ￥11.12 |
| 10 | ￥9.785971 | ￥97.86 |
| 25 | ￥9.192882 | ￥229.82 |
| 100 | ￥6.672253 | ￥667.23 |
| 250 | ￥6.435017 | ￥1608.75 |
| 500 | ￥5.575038 | ￥2787.52 |
| 1000 | ￥4.744714 | ￥4744.71 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CTLDM304P-M832DS TR
制造商
CENTRAL(美国中央)
商品描述
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
70mOhm @ 4.2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
760pF @ 15V
功率 - 最大值
1.65W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-TDFN Exposed Pad
供应商器件封装
TLM832DS
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注
CTLDM304P-M832DS TR品牌厂家：CENTRAL
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CTLDM304P-M832DS TR
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CTLDM304P-M832DS TR
型号：CTLDM304P-M832DS TR
品牌：CENTRAL
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.120422 |
| 10+： | ￥9.785971 |
| 25+： | ￥9.192882 |
| 100+： | ￥6.672253 |
| 250+： | ￥6.435017 |
| 500+： | ￥5.575038 |
| 1000+： | ￥4.744714 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.12