SIZ320DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ320DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥4.286238 | ￥12858.71 |
| 6000 | ￥4.060699 | ￥24364.19 |
| 9000 | ￥3.759898 | ￥33839.08 |
| 30000 | ￥3.722641 | ￥111679.23 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 30 A, 40 A
漏源电阻 4.24 mOhms, 8.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 9.5 nC, 17.8 nC
耗散功率 16.7 W, 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 45 S, 68 S
上升时间 28 ns, 45 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ320DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ320DT-T1-GE3
型号：SIZ320DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥4.286238 |
| 6000+： | ￥4.060699 |
| 9000+： | ￥3.759898 |
| 30000+： | ￥3.722641 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00