SIZ320DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ320DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CHANNEL 25V 8-POWER33
- 渠道：
- digikey
库存 ：5865
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.001705 | ￥13.00 |
| 10 | ￥11.215758 | ￥112.16 |
| 100 | ￥7.759589 | ￥775.96 |
| 500 | ￥6.483994 | ￥3242.00 |
| 1000 | ￥5.518152 | ￥5518.15 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 30 A, 40 A
漏源电阻 4.24 mOhms, 8.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 9.5 nC, 17.8 nC
耗散功率 16.7 W, 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 45 S, 68 S
上升时间 28 ns, 45 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ320DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ320DT-T1-GE3
型号：SIZ320DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5865 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.001705 |
| 10+： | ￥11.215758 |
| 100+： | ￥7.759589 |
| 500+： | ￥6.483994 |
| 1000+： | ￥5.518152 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥13.00