货期:(7~10天)
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.288899 | ¥6.29 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 180 ns
正向跨导(Min) 5.5 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 300 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8J2
单位重量 10 mg
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0QS8J2TR
型号:QS8J2TR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.288899 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.29