SH8M13GZETB

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 6 A, 7 A

漏源电阻 22 mOhms, 21.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 5 nC, 18 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 7 ns, 65 ns

正向跨导（Min） 2.5 S, 6 S

上升时间 16 ns, 40 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 30 ns, 80 ns

典型接通延迟时间 8 ns, 12 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SH8M13

单位重量 83 mg