货期:(7~10天)
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.120422 | ¥11.12 |
10 | ¥9.983668 | ¥99.84 |
25 | ¥9.479542 | ¥236.99 |
100 | ¥7.109656 | ¥710.97 |
250 | ¥7.041946 | ¥1760.49 |
500 | ¥6.02628 | ¥3013.14 |
1000 | ¥4.909049 | ¥4909.05 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A, 7 A
漏源电阻 22 mOhms, 21.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5 nC, 18 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 65 ns
正向跨导(Min) 2.5 S, 6 S
上升时间 16 ns, 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 80 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8M13
单位重量 83 mg
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0SH8M13GZETB
型号:SH8M13GZETB
品牌:ROHM
供货:锐单
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1+: | ¥11.120422 |
10+: | ¥9.983668 |
25+: | ¥9.479542 |
100+: | ¥7.109656 |
250+: | ¥7.041946 |
500+: | ¥6.02628 |
1000+: | ¥4.909049 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.12