SH8M13GZETB
库存 ：1196
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.750402 | ￥12.75 |
| 10 | ￥11.447028 | ￥114.47 |
| 25 | ￥10.869009 | ￥271.73 |
| 100 | ￥8.151757 | ￥815.18 |
| 250 | ￥8.074121 | ￥2018.53 |
| 500 | ￥6.909585 | ￥3454.79 |
| 1000 | ￥5.628594 | ￥5628.59 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A, 7 A
漏源电阻 22 mOhms, 21.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5 nC, 18 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 65 ns
正向跨导（Min） 2.5 S, 6 S
上升时间 16 ns, 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 80 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8M13
单位重量 83 mg
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注
SH8M13GZETB
型号：SH8M13GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1196 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.750402 |
| 10+： | ￥11.447028 |
| 25+： | ￥10.869009 |
| 100+： | ￥8.151757 |
| 250+： | ￥8.074121 |
| 500+： | ￥6.909585 |
| 1000+： | ￥5.628594 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.75