SI7228DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7228DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.243982 | ￥11.24 |
| 10 | ￥9.192882 | ￥91.93 |
| 25 | ￥8.644274 | ￥216.11 |
| 100 | ￥8.046242 | ￥804.62 |
| 250 | ￥7.77441 | ￥1943.60 |
| 500 | ￥7.556944 | ￥3778.47 |
| 1000 | ￥7.448212 | ￥7448.21 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI7228DN-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
26A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
20mOhm @ 8.8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
480pF @ 15V
功率 - 最大值
23W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7228DN-T1-GE3 同类别型号
注
SI7228DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
SI7228DN-T1-GE3
型号：SI7228DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.243982 |
| 10+： | ￥9.192882 |
| 25+： | ￥8.644274 |
| 100+： | ￥8.046242 |
| 250+： | ￥7.77441 |
| 500+： | ￥7.556944 |
| 1000+： | ￥7.448212 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.24