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DMN1250UFEL-7

DIODES(美台)
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请参阅产品规格
制造商编号:
DMN1250UFEL-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
渠道:
digikey

库存 :1990

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 8 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 2 A

漏源电阻 450 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 1.9 nC

耗散功率 1.25 W

通道模式 Enhancement

晶体管类型 1 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 12 g

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DMN1250UFEL-7

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型号:DMN1250UFEL-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:1990 MPQ:4000 MOQ:1

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