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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 8 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1.9 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 12 g
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0DMN1250UFEL-7
型号:DMN1250UFEL-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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