NVMFD5C478NLT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 29 A

漏源电阻 14.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 8.1 nC

耗散功率 23 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 3.5 ns

正向跨导（Min） 25 S

上升时间 14 ns

典型关闭延迟时间 18 ns

典型接通延迟时间 6 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 161.193 mg