货期:(7~10天)
起订量:1500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1500 | ¥4.863331 | ¥7295.00 |
3000 | ¥4.559372 | ¥13678.12 |
7500 | ¥4.255415 | ¥31915.61 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.1 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
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0NVMFD5C478NLT1G
型号:NVMFD5C478NLT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1500+: | ¥4.863331 |
3000+: | ¥4.559372 |
7500+: | ¥4.255415 |
货期:7-10天
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