NVMFD5C478NLT1G
库存 ：1480
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.257766 | ￥36.26 |
| 10 | ￥23.330419 | ￥233.30 |
| 100 | ￥15.935059 | ￥1593.51 |
| 500 | ￥12.77069 | ￥6385.35 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.1 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.5 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
NVMFD5C478NLT1G 同类别型号
注
NVMFD5C478NLT1G
型号：NVMFD5C478NLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：1480 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.257766 |
| 10+： | ￥23.330419 |
| 100+： | ￥15.935059 |
| 500+： | ￥12.77069 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.26