STL50DN6F7
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.508409 | ￥24.51 |
| 10 | ￥21.885579 | ￥218.86 |
| 100 | ￥17.058426 | ￥1705.84 |
| 500 | ￥14.092192 | ￥7046.10 |
| 1000 | ￥11.125386 | ￥11125.39 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL50DN6F7
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
57A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
11mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1035pF @ 30V
功率 - 最大值
62.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
STL50DN6F7 同类别型号
注
STL50DN6F7品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
STL50DN6F7
型号：STL50DN6F7
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.508409 |
| 10+： | ￥21.885579 |
| 100+： | ￥17.058426 |
| 500+： | ￥14.092192 |
| 1000+： | ￥11.125386 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.51