QS8J1TR
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.943952 | ￥15.94 |
| 10 | ￥13.039875 | ￥130.40 |
| 100 | ￥10.145764 | ￥1014.58 |
| 500 | ￥8.599201 | ￥4299.60 |
| 1000 | ￥7.004947 | ￥7004.95 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 215 ns
上升时间 75 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 390 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
长度 3 mm
宽度 2.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8J1
单位重量 10 mg
QS8J1TR 同类别型号
注
QS8J1TR
型号：QS8J1TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.943952 |
| 10+： | ￥13.039875 |
| 100+： | ￥10.145764 |
| 500+： | ￥8.599201 |
| 1000+： | ￥7.004947 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.94