EPC2110ENGRT
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货期： 8周-10周
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥12.550343 | ￥31375.86 |
| 5000 | ￥12.085454 | ￥60427.27 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2110ENGRT
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
60mOhm @ 4A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 700µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
80pF @ 60V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
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注
EPC2110ENGRT品牌厂家：EPS
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EPC2110ENGRT
数据手册PDF。
EPC2110ENGRT
型号：EPC2110ENGRT
品牌：EPS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥12.550343 |
| 5000+： | ￥12.085454 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00