SH8MA4TB1

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 9 A, 8.5 A

漏源电阻 21 mOhms, 29.6 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 15.5 nC, 19.6 nC

耗散功率 3 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 7 ns, 22 ns

上升时间 19 ns, 16 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 33 ns, 55 ns

典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 83 mg