SH8MA4TB1
库存 ：2490
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.308785 | ￥14.31 |
| 10 | ￥12.750402 | ￥127.50 |
| 25 | ￥12.098714 | ￥302.47 |
| 100 | ￥9.074036 | ￥907.40 |
| 250 | ￥8.987616 | ￥2246.90 |
| 500 | ￥7.691326 | ￥3845.66 |
| 1000 | ￥6.265406 | ￥6265.41 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A, 8.5 A
漏源电阻 21 mOhms, 29.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15.5 nC, 19.6 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 22 ns
上升时间 19 ns, 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8MA4TB1 同类别型号
注
SH8MA4TB1
型号：SH8MA4TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2490 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.308785 |
| 10+： | ￥12.750402 |
| 25+： | ￥12.098714 |
| 100+： | ￥9.074036 |
| 250+： | ￥8.987616 |
| 500+： | ￥7.691326 |
| 1000+： | ￥6.265406 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.31