CSD87312Q3E
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥5.636704 | ￥14091.76 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 6.3 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.9 ns
正向跨导（Min） 39 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 7.8 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 31.200 mg
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注
CSD87312Q3E品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF
。
CSD87312Q3E
型号：CSD87312Q3E
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥5.636704 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00