货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥5.459756 | ¥16379.27 |
6000 | ¥4.963415 | ¥29780.49 |
15000 | ¥4.734335 | ¥71015.02 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.9 ns
正向跨导(Min) 6.4 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.2 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
高度 0.62 mm
长度 2.32 mm
宽度 1.74 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4.100 mg
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0CSD86311W1723
型号:CSD86311W1723
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥5.459756 |
6000+: | ¥4.963415 |
15000+: | ¥4.734335 |
货期:7-10天
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