CSD86311W1723
库存 ：1107
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.50262 | ￥10.50 |
| 10 | ￥9.390578 | ￥93.91 |
| 25 | ￥8.908693 | ￥222.72 |
| 100 | ￥6.68152 | ￥668.15 |
| 250 | ￥6.617886 | ￥1654.47 |
| 500 | ￥5.663383 | ￥2831.69 |
| 1000 | ￥4.613431 | ￥4613.43 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.9 ns
正向跨导（Min） 6.4 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.2 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 2.32 mm
宽度 1.74 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4.100 mg
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注
CSD86311W1723品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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。
CSD86311W1723
型号：CSD86311W1723
品牌：TI
供货：锐单
库存：1107 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.50262 |
| 10+： | ￥9.390578 |
| 25+： | ￥8.908693 |
| 100+： | ￥6.68152 |
| 250+： | ￥6.617886 |
| 500+： | ￥5.663383 |
| 1000+： | ￥4.613431 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.50