货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥5.512764 | ¥16538.29 |
6000 | ¥5.011603 | ¥30069.62 |
15000 | ¥4.780298 | ¥71704.47 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 7.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 18 ns
正向跨导(Min) 37 S, 37 S
上升时间 4 ns, 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns, 21 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJB42EP-T1_GE3
型号:SQJB42EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥5.512764 |
6000+: | ¥5.011603 |
15000+: | ¥4.780298 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00