
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.681377 | ¥8.68 |
| 10 | ¥6.32364 | ¥63.24 |
| 30 | ¥5.894342 | ¥176.83 |
| 100 | ¥5.458229 | ¥545.82 |
| 500 | ¥5.267429 | ¥2633.71 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17.7 nC
耗散功率 2.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11.3 ns
正向跨导(Min) 4.7 S
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMP6A17DN8TA
型号:ZXMP6A17DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.681377 |
| 10+: | ¥6.32364 |
| 30+: | ¥5.894342 |
| 100+: | ¥5.458229 |
| 500+: | ¥5.267429 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.68