货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥60.475015 | ¥60.48 |
10 | ¥50.728312 | ¥507.28 |
100 | ¥41.039684 | ¥4103.97 |
500 | ¥36.47944 | ¥18239.72 |
1000 | ¥31.235662 | ¥31235.66 |
2000 | ¥29.411689 | ¥58823.38 |
制造商 Renesas Electronics
商标 Renesas Electronics
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.45 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 250 W
集电极连续电流(Max) 100 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 1 uA
高度 mm
长度 mm
宽度 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6 g
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0RJH65T14DPQ-A0#T0
型号:RJH65T14DPQ-A0#T0
品牌:INTERSIL/RECTIFIER
供货:锐单
单价:
1+: | ¥60.475015 |
10+: | ¥50.728312 |
100+: | ¥41.039684 |
500+: | ¥36.47944 |
1000+: | ¥31.235662 |
2000+: | ¥29.411689 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥60.48