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制造商 Renesas Electronics
商标 Renesas Electronics
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.35 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 63.5 W
集电极连续电流(Max) 30 A
栅极—射极漏泄电流 1 uA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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0RJP65T54DPM-A0#T2
型号:RJP65T54DPM-A0#T2
品牌:INTERSIL/RECTIFIER
供货:锐单
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